通過自旋軌道感應的扭矩切換磁性元件的能力近來引起了很多關注，有助于實現低功耗的高性能非易失性存儲器。要實現基于自旋軌道的有效切換，需要利用新材料和新穎的物理學手段來獲得高的電荷-自旋轉換效率，因此自旋源的選擇至關重要。

　　有鑒于此，近日，新加坡國立大學Hyunsoo Yang教授等報道了在與坡莫合金相鄰的1T'-MoTe2半金屬薄膜構成的雙層中，自旋軌道轉矩(SOT)轉換的觀察。在室溫下無需外部磁場即可實現確定性轉換，并且轉換時的電流比使用性能最佳的重金屬器件中的典型電流小一個數量級。如果除了整體自旋霍爾效應之外還考慮界面自旋軌道的貢獻，則可以理解其具有厚度依賴性的原因。借助于啞鈴形的磁性元件，開關電流進一步降低了三倍。本文的研究發現表明，MoTe2在低功率半金屬材料自旋器件領域中具有重要的應用前景。

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